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此工艺最小的加工线宽和间距为3µm，月中易结元兆为目前文献报道的AgNW薄膜电极的最高工艺精度。(g)有限差分时域(FDTD)仿真的AgNW点接触与共型接触处的电场强度分布，旬江右侧是共型接触的AgNWSEM图。
通常，苏电人们需要采用多步、冗繁的工艺流程来分别实现AgNW接触电阻降低和AgNW网络的图案化。力市【背景介绍】柔性透明电极（TE）的出现极大地推动了光电器件性能和形态的发展与创新。罗云瀚，场月博士，博士生导师，暨南大学教授。
牌交主要致力于光电显示领域可产业化的应用型科技研发。果成(c)不同方块电阻的DH-AgNW薄膜在550nm处的雾度。
在新型显示、交均价驱动方法、器件结构、制程技术上有60多篇SCI/EI/会议的学术发表，70多项国内外专利申请，15项国内外专利已经获得授权。
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